待機電力ゼロのロジック混載用高速高集積不揮発性メモリの動作実証に世界で初めて成功
国立大学法人東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター及び大学院工学研究科の遠藤哲郎教授と東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター及び電気通信研究所の大野英男教授のグループは、日本電気株式会社との産学連携研究により、スピントロニクス技術であるスピン注入磁化反転型磁気トンネル接合 (Magnetic Tunnel Junction; MTJ) デバイとシリコン技術を組み合わせ、ロジック混載用の1M（メガ）ビット不揮発性メモリを開発しました。